韩国称较早提出3D晶体管技术专利申请

        首尔大学电机工程学系教授李锺浩(译名)表示，在韩国及美国持有与英特尔发表的3D晶体管制程技术tri-gate MOSFET相同的bulk FinFET相关技术专利。他表示，2项技术只有名称不同，但应用的方式是相同的。

        李锺浩表示，从英特尔目前为止公开的资料来看，与韩国持有的专利技术完全相同，相关技术韩国已取得韩国境内及美国的专利权，并发表60多篇论文，在技术方面是已得到验证的事实。

        bulk FinFET技术2002年1月30日已在韩国申请专利，且于2003年8月成功登录专利，接著2003年2月4日向美国申请专利，并于2年后的2005年4月26日完成登录，而英特尔则在晚李锺浩10天的2003年2月14日，才提出tri-gate MOSFET专利申请。

        英特尔发表的3D垫晶体制程技术可增加晶体管通道数量，增加电流量，电流流失与目前的2D晶体管相比显著减少，大幅提升其效率。此外，此3D晶体管技术也适合用在微细制程，提升芯片集积度。

        英特尔计划将该计数应用在22纳米量产制程中，进入行动装置芯片市场。行动芯片需求持续增加，李锺浩的专利技术若审核后确定为同样的技术，将可获得数量庞大的专利金。

        bulk FinFET技术的美国专利及发明者皆登录为李锺浩，专利权则由专利营销专门公司PNIB所持有，此外，该技术相关的多数应用技术也由李锺浩及其所属的首尔大学共同持有。李锺浩当时提出相关技术专利申请后，曾邀请韩国企业进行共同开发，然当时因技术不具商业性为由遭拒。

        李锺浩表示，先申请专利者可获得专利权法保护，而经过确认后，确实比英特尔更早提出专利申请，应没有其它问题。为取得美国专利权保护，将会以英特尔为对象，与PNIB共同进入相关法律程序。